[发明专利]晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺有效
申请号: | 201010238289.2 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN101976705A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 吴剑峰 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽体中硅片完成制绒;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。本发明非常现实地提出了一种单面的腐蚀方法,可以很有效地降低传统的腐蚀重量,从而增加了硅片在整个制程中的厚度,降低了整道的破片率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 单面 酸制绒 工艺 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,其特征在于包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽放置HNO3,HF,H2SO4以及水的混合液,体积比例为6∶1∶4,温度为4℃‑10℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度随着滚轮漂过第一个槽,反应时间为2~3分钟,在第一个槽体中硅片完成制绒,表面损伤层被均匀地腐蚀掉一层,并且表面单面形成如蜂窝状的酸制绒绒面,绒面大小均匀,尺寸为3~7微米之间,经过该槽后硅片被腐蚀掉的一面出现暗黄色的多孔硅;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,浓度为3%‑5%,温度为15℃~25℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽,作用时间为1~2分钟;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,浓度分别为5%和7%,温度为常温,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,作用时间为1~2分钟,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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