[发明专利]晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺，其特征在于包括以下步骤：

1)将硅片在常温下用纯水润湿，使硅片表面形成一层薄薄的水膜；

2)在工艺设备的第一个槽放置HNO3，HF，H2SO4以及水的混合液，体积比例为6∶1∶4，温度为4℃-10℃，硅片以每分钟1.0±0.2米的速度随着滚轮漂过第一个槽，反应时间为2～3分钟，在第一个槽体中硅片完成制绒，表面损伤层被均匀地腐蚀掉一层，并且表面单面形成如蜂窝状的酸制绒绒面，绒面大小均匀，尺寸为3～7微米之间，经过该槽后硅片被腐蚀掉的一面出现暗黄色的多孔硅；

3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠，浓度为3％-5％，温度为15℃～25℃，硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽，作用时间为1～2分钟；

4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液，浓度分别为5％和7％，温度为常温，硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽，作用时间为1～2分钟，硅片经过该槽后，经过纯水的漂洗，然后经过风刀吹干后直接进入下料区。

2.如权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺，其特征在于：所述的硅片在整个过程中的腐蚀深度为3.4～5.2微米之间，硅片在清洗后绒面反射率在18％～24％之间，呈暗淡色，所述的工艺设备的三个槽中间都有纯水清洗作为不同化学品之间的缓冲区域，放置不同化学品混合后发生反应。