[发明专利]一种提高非晶硅太阳能电池转化效率的方法

摘要

一种提高非晶硅太阳能电池转化效率的方法，解决了非晶硅太阳能电池由于弱N型导电薄膜与P型非晶硅薄膜形成反向PN结造成电流、电压损失的技术问题，采用的技术方案是，以上方法是在制备非晶硅太阳电池工艺中实现的，所说的工艺包括制备太阳电池的基体、制备弱N型导电薄膜、制备PIN型非晶硅薄膜以及制备背电极，在非晶硅太阳能电池常规工艺中、在基体上制备完成弱N型导电薄膜后，增加了制备弱N型导电薄膜与P型非晶硅薄膜之间的本征型缓冲层的工序。本发明的关键在于，在弱N型导电薄膜上制备用于减缓弱N型导电薄膜与P型非晶硅薄膜形成反向PN结、造成非晶硅太阳电池电流、电压损失的本征型缓冲层，扩大了耗尽层宽度，从而降低了反向PN结造成的电压、电流损耗。

主权项

一种提高非晶硅太阳能电池转化效率的方法，以上方法是在制备非晶硅太阳电池工艺中实现的，所说的工艺包括制备太阳电池的基体(1)、制备弱N型透明导电薄膜(2)、制备PIN型非晶硅薄膜(4)以及制备背电极(5)，其特征在于：在非晶硅太阳能电池常规工艺中、在基体(1)上制备完成弱N型透明导电薄膜(2)后，增加了制备弱N型透明导电薄膜(2)与P型非晶硅薄膜之间的本征型缓冲层(3)的工序，具体包括以下步骤：A、在基体(1)上制备弱N型导电薄膜(2)后，控制基体(1)温度为160～220℃、并送入化学气相沉积腔室，调整沉积腔室内的本体真空度的范围是5×10‑5～1×10‑4Pa；B、在室温条件下，在混气室中将CO2、H2、SiH4按如下体积百分比混合后充入沉积腔室内：CO2含量为2～4％、H2含量为90～93％、SiH4含量5～8％；C、控制沉积腔室内沉积压力为90～140Pa，沉积温度为160～250℃、射频功率密度为0.2W/cm2～0.5W/cm2；D、在以上沉积氛围中沉积10～30s后，在弱N型导电薄膜(2)上沉积出本征型缓冲层(3)；E、在本征型缓冲层(3)形成后按照非晶硅太阳能电池常规工艺继续完成后道工序。