[发明专利]电流控制用TFT基板的制造方法

摘要

电流控制用TFT基板制造方法，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，用第1掩模形成扫描线、开关管栅极及栅极线；层叠开关管栅极绝缘膜；层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，用第2半色调掩模形成数据线、开关管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线、驱动管栅极线及栅电极；层叠驱动管栅极绝缘膜；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，用第3掩模形成驱动管活性层；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，用第4掩模或第4半色调掩模形成EL驱动线、驱动管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线及像素电极；和层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，用第5掩模使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出。

主权项

一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极及栅极线的工序；层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3掩模，形成驱动晶体管的活性层的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线及像素电极的工序；和层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出的工序。