[发明专利]一种复合电极的制备方法无效
申请号: | 201010237109.9 | 申请日: | 2010-07-27 |
公开(公告)号: | CN101950771A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 林剑;崔铮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B32B15/01;H01L51/56 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种复合电极的制备方法,旨在拓宽电极材料的选择范围,简化生产工艺以获得最佳性价比的电极并且减少贵金属的使用量。包含步骤:首先选用半导体或绝缘材料作为制备该复合电极的衬底;然后通过印刷工艺在衬底上获得该复合电极底部第一层的印刷电极层,并对该印刷电极层进行固化处理;最后在所得印刷电极层上通过镀覆工艺获得该复合电极第二层或第二层以上的电极部分,所述镀覆工艺包括电镀和化学镀。本发明方法制得的复合电极由两层或两层以上不同的导电材料构成,该制备方法综合了印刷法和电镀法制备电极各自的优点,可在印刷电子领域广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种复合电极的制备方法,其特征在于包含如下步骤:(1)、选择半导体或绝缘材料作为制备该复合电极的衬底;(2)、通过印刷工艺在衬底上获得作为该复合电极底部第一层的印刷电极层,并对该印刷电极层进行固化处理;(3)、在所得印刷电极层上通过电镀或化学镀的镀覆工艺获得该复合电极第二层或第二层以上的电极部分,并对该镀覆的电极部分进行清洗和干燥处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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