[发明专利]多位元单元非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法有效
申请号: | 201010236601.4 | 申请日: | 2010-07-23 |
公开(公告)号: | CN102314947A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 黄汉龙;周铭宏;黄建福;卓世耿 | 申请(专利权)人: | 擎泰科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种多位元单元(multi-bit per cell)非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法。使用非挥发性存储器的控制器,对一特定字元线的至少一页,以写入数据进行一次写入。再以控制器对该特定字元线前的至少一页,以相同写入数据进行二次写入。 | ||
搜索关键词: | 位元 单元 挥发性 存储器 使用 顺序 二次 写入 方法 | ||
【主权项】:
一种多位元单元非挥发性存储器的二次写入方法,其特征在于其包含:使用该非挥发性存储器的控制器,对至少一字元线的至少一页,以写入数据进行一次写入;及以该控制器对该至少一字元线的至少一页,以该写入数据进行二次写入。
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