[发明专利]磁控溅射正极极片无效
| 申请号： | 201010236472.9 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102054964A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴中友;陈渊;刘建红;王雅和;徐华 | 申请（专利权）人： | 中信国安盟固利动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/62;H01M4/1391 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 102200 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种直流磁控溅射正极极片，是在金属基片上用直流磁控溅射技术沉淀一层锂化合物和导电剂混合薄膜；基片为Al箔；锂化合物为LiCoO2；导电剂为石墨或乙炔黑；其生产方法方法如下：1)将锂化合物、导电剂和粘结剂按重量比90∶5∶5-60∶20∶20的比例混合，冷等静压成型，在100-200℃惰性气氛中烘烤2-5小时；2)采用直流磁控溅射镀膜设备在基片上沉淀薄膜，所用气体为Ar气，镀膜室气压为0.1-10Pa，沉积电流为1-5mA/cm2，沉积时间为0.5-5小时；3)将所得正极材料置入加热炉中，在空气气氛、200-800℃温度热处理1-8小时，得到成品。本发明直流磁控溅射正极极片，采用粉末粘结靶材，热处理温度较低，可低至200℃，降低了生产成本，采用直流磁控溅射设备，溅射电流和功率可连续调节，操作简单，工艺重复性好，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 正极 | ||
【主权项】：
本发明直流磁控溅射正极极片，包括金属基片，在基片上用直流磁控溅射技术沉淀一层锂化合物和导电剂混合薄膜。
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