[发明专利]磁控溅射正极极片无效
| 申请号： | 201010236472.9 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102054964A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴中友;陈渊;刘建红;王雅和;徐华 | 申请（专利权）人： | 中信国安盟固利动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/62;H01M4/1391 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 102200 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 正极 | ||
1.本发明直流磁控溅射正极极片，包括金属基片，在基片上用直流磁控溅射技术沉淀一层锂化合物和导电剂混合薄膜。
2.根据权利要求1所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述金属基片为Al箔。
3.根据权利要求2所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述锂化合物为LiCoO2。
4.根据权利要求3所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述导电剂为石墨或乙炔黑。
5.根据权利要求1-4之一所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述直流磁控溅射正极极片的生产方法如下：
1)将锂化合物粉末、导电剂和粘结剂按重量比90∶5∶5-60∶20∶20的比例混合，冷等静压成型为靶材，在100-200℃惰性气氛中烘烤2-5小时，最终制品靶材的电阻率≤10Ω·cm；
2)采用直流磁控溅射镀膜设备，在基片上沉淀正极材料薄膜，所用气体为Ar气，镀膜室气压为0.1-10Pa，沉积电流为1-5mA/cm2，沉积时间为0.5-5小时；
3)将已沉积薄膜的正极材料置入加热炉中，在空气气氛、200-800℃温度热处理1-8小时，得到成品。
6.根据权利要求5所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述直流磁控溅射正极极片的生产方法第2步的优选状态如下：镀膜室气压为0.5-1.0Pa，沉积电流为1.5-3mA/cm2，沉积时间为1.5-3小时。
7.根据权利要求5所述的直流磁控溅射正极极片，其特征在于：所述直流磁控溅射正极极片的生产方法第3步的优选状态如下：300-500℃温度热处理1.5-2.5小时。
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