[发明专利]真空蒸镀方法及其装置无效

专利信息
申请号: 201010235894.4 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN101962750A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 松浦宏育;土井秀明;加藤升;韭泽信广 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供有机EL器件制造装置以及成膜装置,所述有机EL器件制造装置能够在基板上形成均匀膜厚的薄膜,在有机EL器件的制造装置中,对于从将蒸发的蒸镀材料通过线上配置的多个喷嘴向真空槽内部排放的蒸发源的各个喷嘴排放的有机EL材料的蒸发量,通过蒸发量监测设备监测各个喷嘴,并且利用监测到的各个喷嘴的有机EL材料的蒸发量信息,通过控制设备控制蒸发源。
搜索关键词: 真空 方法 及其 装置
【主权项】:
一种真空蒸镀装置,其为,在被排气为真空的腔室内,将通过加热而被气化的蒸镀材料蒸镀到基板上的蒸镀装置,其特征为包括:保持基板的基板保持设备、使蒸镀材料气化而从喷嘴排放的具有在一个方向上较长形状的蒸发源、使所述蒸发源或者所述保持基板的基板保持设备的至少一者在与所述蒸发源的较长的一个方向垂直的方向上移动的第一移动设备、检测从所述蒸发源排放所述蒸镀材料的排放速度的检测设备、使所述蒸发源或者所述检测设备的至少一者在与所述蒸发源的较长的一个方向即长度方向平行的方向上移动的第二移动设备、控制所述基板保持设备、所述蒸发源、所述第一移动设备、所述检测设备和所述第二移动设备的控制设备,通过该控制设备控制所述第二移动设备,从而移动所述检测设备或所述蒸发源的至少一者,由此测量所述蒸发源的排放速度在所述长度方向上的分布。
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