[发明专利]太阳电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201010230372.5 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101958368A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 傳田敦;斋藤广美 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;周春燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供转换效率高的太阳电池及其制造方法。太阳电池的制造方法是通过串联连接多个电池单元而构成的太阳电池的制造方法，所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层，该方法包括：划分部形成工序，其在前述基板上，形成按每一前述电池单元划分前述第1电极层的形成区域的疏液性的划分部；以及第1电极层形成工序，其在通过前述划分部所划分的区域，在前述基板上涂敷包含要成为前述第1电极层的第1电极材料的液体材料，并对所涂敷的前述液体材料进行烧制，而形成前述第1电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池的制造方法，所述太阳电池通过串联连接多个电池单元而构成，所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层，其特征在于，该方法包括：划分部形成工序，其在前述基板上，形成按每一前述电池单元划分前述第1电极层的形成区域的疏液性的划分部；以及第1电极层形成工序，其在通过前述划分部所划分的区域，在前述基板上涂敷包含要成为前述第1电极层的第1电极材料的液体材料，并对所涂敷的前述液体材料进行烧制，而形成前述第1电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
