[发明专利]具有垂直各向异性自由层和侧向屏蔽构件的磁传感器无效
| 申请号： | 201010227067.0 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101958123A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | D·V·季米特洛夫;Z·高;丁元俊;P·E·安德森;O·G·海诺宁 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/33 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种隧道磁阻读取器包括将上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件分隔开的传感器叠层。该传感器叠层包括具有基准磁化强度取向的基准磁性元件和具有垂直于该基准磁化强度取向的自由磁化强度取向的自由磁性元件。非磁性间隔层将基准磁性元件与自由磁性元件分隔开。第一侧向磁屏蔽构件和第二侧向磁屏蔽构件被设置在上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件之间，且传感器叠层在第一侧向磁屏蔽构件与第二侧向磁屏蔽构件之间。第一侧向磁屏蔽构件与第二侧向磁屏蔽构件使上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 各向异性 自由 侧向 屏蔽 构件 传感器 | ||
【主权项】：
一种隧道磁阻读取器，包括：将上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件分隔开的传感器叠层，所述传感器叠层包括具有基准磁化方向的基准磁性元件、具有与所述基准磁化方向基本垂直的自由磁化方向的自由磁性元件、以及将所述基准磁性元件与所述自由磁性元件分隔开的非磁性间隔层；以及设置在所述上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件之间的第一侧向磁屏蔽构件和第二侧向磁屏蔽构件，所述传感器叠层在所述第一侧向磁屏蔽构件与所述第二侧向磁屏蔽构件之间，且所述第一侧向磁屏蔽构件和所述第二侧向磁屏蔽构件包括使所述上磁屏蔽构件与下磁屏蔽构件电绝缘的电绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010227067.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种食品包装袋
- 下一篇：用于支持多处理器虚拟机环境中的地址翻译的方法和装置
