[发明专利]外延晶片、发光元件及其制造方法

摘要

提供一种外延晶片、发光元件、制造外延晶片的方法及制造发光元件的方法。发光元件具有高的输出及低的前向电压，并且在不增加制造成本的情况下能够制造发光元件。外延晶片形成具有发光部、在半导体衬底和发光部之间设置的反射部以及具有第一和第二电流扩散层的电流扩散层，其中，反射部具有包括第一和第二半导体层的多对成对的层，其中，第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度T_A，第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度T_B，并且第二电流扩散层具有高的载流子浓度或高的杂质浓度，并且表面上设置有凸凹部。

主权项

一种外延晶片，包括：半导体衬底；发光部，包括在第一传导类型的第一包覆层和不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间设置的有源层；反射部，设置在半导体衬底和发光部之间并且反射从有源层发出的光；以及电流扩散层，设置在反射部相对于发光部的相对侧上，并且包括互相具有不同的载流子浓度和杂质浓度的第一电流扩散层和第二电流扩散层，其中，所述反射部包括多对成对的层，每对成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，其中，第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度TA， T A = λ P 4 n A 1 - ( n In sin θ n A ) 2 - - - ( 1 ) 其中，λP是从有源层发出的光的峰值波长，nA是第一半导体层的折射率，nB是第二半导体层的折射率，nIn是第一包覆层的折射率，并且θ是对于第二半导体层的入射角，其中，第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度TB， T B = λ P 4 n B 1 - ( n In sin θ n B ) 2 - - - ( 2 ) 其中，第二电流扩散层具有比第一电流扩散层更高的载流子浓度或比第一电流扩散层更高的杂质浓度，并且表面上设置有凸凹部。