[发明专利]外延晶片、发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种外延晶片，包括：

半导体衬底；

发光部，包括在第一传导类型的第一包覆层和不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间设置的有源层；

反射部，设置在半导体衬底和发光部之间并且反射从有源层发出的光；以及

电流扩散层，设置在反射部相对于发光部的相对侧上，并且包括互相具有不同的载流子浓度和杂质浓度的第一电流扩散层和第二电流扩散层，

其中，所述反射部包括多对成对的层，每对成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，

其中，第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度T_A，

TA=λP4nA1-(nInsinθnA)2---(1)]]>

其中，λ_P是从有源层发出的光的峰值波长，n_A是第一半导体层的折射率，n_B是第二半导体层的折射率，n_In是第一包覆层的折射率，并且θ是对于第二半导体层的入射角，

其中，第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度T_B，

TB=λP4nB1-(nInsinθnB)2---(2)]]>

其中，第二电流扩散层具有比第一电流扩散层更高的载流子浓度或比第一电流扩散层更高的杂质浓度，并且表面上设置有凸凹部。

2.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，所述反射部包括至少三对成对的层，

其中，根据用于每对成对的层的公式(1)和(2)中的θ的差异，每对成对的层的厚度互相不同，

其中，至少一对成对的层包括由大于50°的θ值限定的第一半导体层和第二半导体层。

3.根据权利要求2所述的外延晶片，进一步包括：

在第二包覆层和电流扩散层之间设置的中间层；

其中，由具有在构成第二包覆层的半导体的带隙能量和构成电流扩散层的半导体的带隙能量之间的带隙能量的半导体形成所述中间层。