[发明专利]背面感光影像感测器及其形成方法无效
| 申请号： | 201010224680.7 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102130052A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吴扬;林积劭 | 申请（专利权）人： | 英属盖曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/20;H01L27/146;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾英属盖曼群岛大盖曼*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种背面感光影像感测器及其形成方法，该背面感光影像感测器包含：一半导体基板；一n型掺杂区，形成于该半导体基板内；一p型掺杂区，形成于该n型掺杂区内；及一传送闸，形成于该半导体基板上，该传送闸覆盖该n型掺杂区及该p型掺杂区。该种背面感光影像感测器的形成方法为：形成n型掺杂区于半导体基板内，且形成传送闸于半导体基板上。形成p型掺杂区于n型掺杂区内，其形成以传送闸作为遮罩，或者以非自对准方式形成。本发明提出一种非自对准背面感光(BSI)CMOS影像感测器的工艺及结构，用以增大n型植入区与传送闸之间的重叠，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 感光 影像 感测器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种背面感光影像感测器的形成方法，其特征在于包含：形成一n型掺杂区于一半导体基板内；形成一传送闸于该半导体基板上，因而于该传送闸的一端与该n型掺杂区之间形成重叠；及以该传送闸为遮罩，形成一p型掺杂区于该n型掺杂区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
