[发明专利]RF-SIM卡电路及其控制方法无效

专利信息
申请号: 201010223207.7 申请日: 2010-07-05
公开(公告)号: CN101916390A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 黄书伟;吴俊军;王同洋;付积存 申请(专利权)人: 武汉天喻信息产业股份有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;H02J7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430223 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种RF-SIM卡电路,包括MCU和蓄能延时单元,所述MCU控制所述蓄能延时单元循环进行充放电,所述蓄能延时单元放电完毕后所述MCU进入休眠状态,所述蓄能延时单元充电完毕后唤醒处于休眠状态的所述MCU。本发明还提供一种控制上述电路的方法。本发明所提供的电路和方法采用蓄能延时单元循环进行充放电,蓄能延时单元循环充放产生了延时效果,而整个MCU在延时过程中是处于完全休眠状态,达到降低MCU功耗的效果,从而整个RF-SIM卡的功耗也随之降低。
搜索关键词: rf sim 电路 及其 控制 方法
【主权项】:
一种RF SIM卡电路,包括MCU,其特征在于:所述电路还包括蓄能延时单元,所述MCU控制所述蓄能延时单元循环进行充放电,所述蓄能延时单元放电完毕后所述MCU进入休眠状态,所述蓄能延时单元充电完毕后唤醒处于休眠状态的所述MCU。
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