[发明专利]RF-SIM卡电路及其控制方法无效
| 申请号： | 201010223207.7 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101916390A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黄书伟;吴俊军;王同洋;付积存 | 申请（专利权）人： | 武汉天喻信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;H02J7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf sim 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种RF-SIM卡电路，包括MCU，其特征在于：所述电路还包括蓄能延时单元，所述MCU控制所述蓄能延时单元循环进行充放电，所述蓄能延时单元放电完毕后所述MCU进入休眠状态，所述蓄能延时单元充电完毕后唤醒处于休眠状态的所述MCU。
2.根据权利要求1所述的RF-SIM卡电路，其特征在于：所述电路还包括MCU唤醒驱动单元，所述蓄能延时单元控制所述MCU唤醒驱动单元定时唤醒所述MCU。
3.根据权利要求2所述的RF-SIM卡电路，其特征在于：所述电路还包括放电单元，所述MCU控制所述放电单元对所述蓄能延时单元放电。
4.根据权利要求3所述的RF-SIM卡电路，其特征在于：所述电路还包括充电单元，所述充电单元对所述蓄能延时单元进行充电。
5.根据权利要求2所述的RF-SIM卡电路，其特征在于：所述MCU唤醒驱动单元通过产生一个状态变化的电压信号来唤醒所述MCU。
6.一种如权利要求1所述的RF-SIM卡电路的控制方法，所述方法包括以下步骤：
MCU初始化且蓄能延时单元开始充电；
MCU控制蓄能延时单元进行放电；
MCU进入休眠状态；
蓄能延时单元开始充电；
蓄能延时单元唤醒MCU；以及
MCU进行工作。
7.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于所述MCU控制蓄能延时单元进行放电之前还包括以下步骤：MCU产生放电信号给放电单元。
8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：所述蓄能延时单元唤醒MCU由蓄能延时单元控制MCU唤醒驱动单元产生电压变化信号来唤醒MCU。
9.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于所述控制方法还包括以下步骤：MCU工作完成后，返回所述MCU控制蓄能延时单元进行放电步骤。
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