[发明专利]一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法无效
| 申请号： | 201010222856.5 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101900525A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵成;黄庆安;宋竟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法，其特征在于：在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线；利用所述负载传输线的力学特性与电学特性之间的关系确定RF MEMS器件封装热应变。本发明采用微波测量手段测量RF MEMS器件封装热应变，测试单元的制作与RF MEMS器件的制作工艺兼容，可以同步进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 微机 系统 器件 封装 应变 测量方法 | ||
【主权项】：
一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法，其特征在于：在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线；利用所述负载传输线的力学特性与电学特性之间的关系确定RF MEMS器件封装热应变。
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