[发明专利]一种用于太赫兹波调制的结构材料无效
| 申请号： | 201010218977.2 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101943803A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;张怀武;杨青慧;刘颖力;李元勋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 赫兹 调制 结构 材料 | ||
【主权项】：
一种用于太赫兹波调制的结构材料，包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其特征在于，所述介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板；所述电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。
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