[发明专利]相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜有效
申请号: | 201010215138.5 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN101937170A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 影山景弘;中村大介 | 申请(专利权)人: | 爱发科成膜株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韩登营 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜,通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1),其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。因此,将上述波长范围内的光用作进行曝光处理的光,由于在相移层处光的相位发生反转所以会形成光强度最小的区域,使曝光图案更加清楚。在混合有40%以上90%以下的氮化气体和10%以上35%以下的氧化气体的环境中,使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成相移层(13P)。 | ||
搜索关键词: | 相移 制造 方法 平板 显示器 | ||
【主权项】:
一种相移掩膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序:对透明基板上的遮光层进行图案形成加工的工序,在所述透明基板上形成覆盖所述遮光层的相移层的工序,其方法为,在混合有40%以上90%以下的氮化气体和10%以上35%以下的氧化气体的环境中,使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成所述相移层,所述相移层对任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差,对所述相移层进行图案形成加工的工序。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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