[发明专利]基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路

摘要

本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，主要解决现有调制电路占用芯片面积比大，成本高的问题。其包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，其中每个模拟反射型衰减器的砷化镓异质结双极晶体管，其集电极分别并联连接有电阻R3和R4，用以减小Vb＝0时的反射系数|Γ|，其发射极分别串联连接有电感L1和L2，用以抵消由于HBT器件的寄生效应。本发明可用于产生I-Q调制信号或者进行频率转换。

主权项

一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路，其特征在于包括：一个3-dB lange耦合器(1)，两个模拟反射型衰减器(6，7)，和1个3-dB wilkinson功率合成器(10)，该3-dB lange耦合器的直通端口输出直接通过第一衰减器(6)移相后输出到功率合成器(7)的一个输入端；该3-dB lange耦合器的耦合端口输出直接通过第二衰减器(6)移相后输出到功率合成器(10)的另一个输入端，功率合成器(10)对该两个输入信号合成后输出。