[发明专利]高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法有效
| 申请号： | 201010213894.4 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101838795A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田修波;吴忠振;巩春志;杨士勤 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张果瑞 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决采用通过在工件上施加负高压脉冲的方法存在大颗粒；薄膜沉积效率低的问题。本发明方法包括：一、将工件置于真空室内的样品台上，工件接高压脉冲电源，磁控溅射靶源接磁控溅射电源，二、注入与沉积：待真空室内的真空度小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa，开启高压脉冲电源，并调节高压脉冲电源输出脉冲的电压值为0.5～100kV，脉冲频率为0～1000Hz，脉宽为0～500μs，开启磁控溅射电源，先通过直流起辉预离化，调节所需工艺参数，控制两个电源电压相位差为-1000～1000μs，进行离子注入与沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 复合 脉冲 磁控溅射 离子 注入 沉积 方法 | ||
【主权项】：
高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法，其特征在于，该方法所使用装置包括高压脉冲电源（1）、脉冲同步匹配装置（2）、磁控溅射电源（3）、磁控溅射靶源（4）、真空室（5）和样品台（6）， 该方法包括以下步骤：步骤一、将待处理工件置于真空室（5）内的样品台（6）上，工件接高压脉冲电源（1）的高压脉冲输出端，安装在真空室（5）上的磁控溅射靶源（4）接磁控溅射电源（3）的高功率脉冲输出端，步骤二、注入与沉积：将真空室（5）抽真空，待真空室（5）内的真空度小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01Pa～10Pa，脉冲同步匹配装置（2）根据高压脉冲电源（1）输出的高压同步触发信号来控制磁控溅射电源（3）工作，开启高压脉冲电源（1），并调节高压脉冲电源（1）输出脉冲的电压值为0.5kV～100kV，脉冲频率为0Hz～1000Hz，脉宽为0μs～500μs，开启磁控溅射电源（3），先通过直流起辉预离化，调节所需工艺参数，磁控溅射电源（3）输出脉冲的电压值为300V～2500V，脉宽为0μs～1000μs，控制高压脉冲电源（1）输出电压和磁控溅射电源（3）输出脉冲的相位差为-1000μs～1000μs，进行离子注入与沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010213894.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
