[发明专利]基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器及其制备方法无效
申请号: | 201010207763.5 | 申请日: | 2010-06-21 |
公开(公告)号: | CN101887925A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 李景;顾济华;蒋春萍;王亦;马仙梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器,其中镁锌氧化物薄膜生成于衬底材料上,并于镁锌氧化物薄膜上进一步生成有金属薄膜叉指电极。其特点体现为:该金属薄膜叉指电极间隔地在其指电极与镁锌氧化物薄膜之间夹设有导电层。从制法上来看,即在完成镁锌氧化物薄膜制备后,将导电层先于金属电极沉积到镁锌氧化物薄膜之上。本发明基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器及其制法,有效增强了薄膜之间的附着力,使产生的光生电子与空穴有效分离,减小电子与空穴的复合,促进光生载流子的产生并延长其寿命,使光电流更强,从而进一步提高了探测器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化物 薄膜 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器,所述镁锌氧化物薄膜生成于衬底材料上,且所述紫外光探测器具有生成于镁锌氧化物薄膜之上的金属薄膜叉指电极,其特征在于:所述金属薄膜叉指电极间隔地在其指电极与镁锌氧化物薄膜之间夹设有导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的