[发明专利]包括发射极-基极界面杂质的双极晶体管结构及其方法无效
| 申请号： | 201010206375.5 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101930998A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·J·贝诺伊特;M·E·达尔斯罗姆;M·D·杜普伊斯;P·B·格雷;A·K·斯塔珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/43;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及包括发射极-基极界面杂质的双极晶体管结构及其方法。一种双极晶体管结构及其制造方法包括：(1)至少部分地位于半导体衬底内的集电极结构；(2)接触所述集电极结构的基极结构；以及(3)接触所述基极结构的发射极结构。所述发射极结构与所述基极结构的界面包括氧杂质并包括选自氟杂质和碳杂质的至少一种其他杂质，以增强在所述双极晶体管结构内的双极晶体管的性能。可以通过对构成所述基极结构的基极材料进行等离子体蚀刻处理，或者替代地进行热处理且之后进行无水氨和氟化氢处理，将所述杂质引入到所述界面中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 发射极 基极 界面 杂质 双极晶体管 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管结构，包括：半导体衬底，其包括集电极结构；基极结构，其接触所述集电极结构；发射极结构，其接触所述基极结构，其中在所述发射极结构与所述基极结构之间的界面包括：氧杂质；以及选自氟杂质和碳杂质的至少一种其他杂质。
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