[发明专利]一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法无效
| 申请号： | 201010206137.4 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101908591A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;徐现刚;徐化勇;王成新;李树强 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法，在LED的SiC衬底上按常规工艺制作出金属电极(即N电极)后，通过局部激光高温退火，使得整个金属电极上40-60％的面积经过激光高温退火形成欧姆接触。一般用激光退火方法，退火区域呈5-15m宽度间隔的条状带，或者退火区域是一系列点阵点。本发明简单易控制，避免了整个器件浸入高温环境，而是通过局部高温退火形成欧姆接触。既形成了良好的欧姆接触电极，又减小了对器件整体性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 衬底 led 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法的，其特征是：在LED的SiC衬底上按常规工艺制作出金属电极后，通过对电极进行部分区域激光退火，使得整个金属电极上只有40 60％的面积经过800 1000℃高温，形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子有限公司，未经山东华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010206137.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种暖通空调计时装置和计费系统
- 下一篇：双面显示OLED装置及其制备方法
