[发明专利]测量信号传输结构的频率相关电容的方法及其电路有效

专利信息
申请号: 201010205144.2 申请日: 2010-06-13
公开(公告)号: CN101930032A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: J·D·海斯;K·B·阿加瓦尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R19/00;G01R31/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 于静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及测量信号传输结构的频率相关电容的方法及其电路。使用可配置的PSRO测量电路来测量目标硅通孔(TSV)或其他导电结构的频率相关电容。通过使用可调节的电阻器和去嵌入结构测量寄生电容CPAR的影响,来帮助对目标结构的测量。对被测器件(DUT)和去嵌入结构二者都进行电流测量。通过这些测量,计算DUT的频率相关电容。
搜索关键词: 测量 信号 传输 结构 频率 相关 电容 方法 及其 电路
【主权项】:
一种用于测量集成电路器件上的信号传输结构的频率相关电容的电路,所述电路包括:(a)多个PSRO(性能扫描环振荡器)级,每一个性能扫描环振荡器级包括:(i)输入级电路,其包括开关和两个输入端子,所述开关用于将来自所述两个输入端子中的一个的信号选择性地耦合到信号延迟电路的输入端子;(ii)所述信号延迟电路,其包括PFET控制端子和NFET控制端子以及至少一个延迟元件,所述信号延迟电路操作用于将所述信号施加到所述PFET和NFET控制端子以使它们不会同时开启;(iii)驱动器级电路,其包括第一和第二驱动器,所述第一和第二驱动器中的每一个具有输出以及PFET和NFET晶体管,所述PFET控制端子被连接为控制两个驱动器的所述PFET晶体管,所述NFET控制端子被连接为控制两个驱动器的所述NFET晶体管;(iv)所述第一驱动器的所述输出被并联连接到第一可变电阻器和PSRO级输出端子,所述第一可变电阻器被串联连接到第一测量电容,所述第一测量电容包括第一寄生电容部分和第二目标电容部分;以及(v)所述第二驱动器的所述输出被连接到第二可变电阻器,所述第二可变电阻器被串联连接到第二测量电容,所述第二测量电容包括寄生电容部分;(b)所述多个PSRO级被串联连接,其中其PSRO级输出端子被连接到串中的随后的PSRO级电路的第一输入端子;(c)使能信号,其被连接到第一PSRO级的所述第一输入端子;(d)振荡控制信号,其被连接到每一个PSRO级的第二输入端子;以及(e)电流测量电路,其操作用于测量每一个PSRO级的所述第一和第二驱动器中的电流。
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