[发明专利]层叠结构同时静电封接方法无效
| 申请号： | 201010204574.2 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101907636A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李颖;张治国;刘沁;张娜 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 层叠结构同时静电封接方法，采用双面抛光硅片，其特征是层叠结构同时实现静电封接，电压引入方式：结构中的各玻璃叠层同时施加等电位且接封接电压负极、各硅叠层同时施加等电位且接封接电压正极；要考虑不同叠层之间的温度梯度，使各叠层被封件的封接温度范围满足300℃～500℃，封接电压范围500V～2000V，封接时间范围10min～20min。本发明成功实现了小间隙层叠结构传感器敏感器件的全硬封连接，在一次性完成层叠结构同时静电封接的同时，还避免了极板粘连，保证了传感器具有良好的气密性和高的连接强度，并使极板间隙和挠度特性不受静电封接工艺的影响，确保了传感器输出蠕变更小，具有更可靠的长期稳定性。而且大大提高了封接的效率，适于大批量生产，是工程化生产的必由之路。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 结构 同时 静电 方法 | ||
【主权项】：
层叠结构同时静电封接方法，采用的硅片为双面抛光硅片，加工电源为直流电源，包括采用溅射工艺、光刻腐蚀工艺，压焊工艺、静电封接工艺，其特征是层叠结构同时实现静电封接；电压引入方式：层叠结构中的玻璃同时接封接电压的负极、硅材料同时接封接电压的正极；保证各玻璃叠层同时施加等电位且接封接电压负极，各硅叠层同时施加等电位且接封接电压正极，在封接条件下实现层叠结构的同时静电封接；封接条件：封接温度范围300℃～500℃，封接电压范围500V～2000V，封接时间为10min～20min。
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