[发明专利]光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010203346.3 | 申请日： | 2003-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101872822A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 秋圣镐;张子淳 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;陈炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光器件及其制造方法。本发明的一个目的是提供该光器件及其制造方法，由此获得电的/热的/结构的稳定性，并且能够同时形成P型电极和N型电极。为了达到上述目的，所述发明的光器件包括：第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的活性层；在所述活性层上形成的第二半导体层；以及在所述第二半导体层上形成的电极，其中所述电极包括：在所述第二半导体层上形成的第一金属层，其包括Au、Ni、Ti和/或Pt中的至少一个；在所述第一金属层上形成的第二金属层，其包括Ni、Pt和/或Pd中的至少一个；以及在所述第二金属层上形成的第三金属层，其包括Au和/或含Au的两种或更多种类的化合物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的活性层；在所述活性层上形成的第二半导体层；以及在所述第二半导体层上形成的电极，其中所述电极包括：在所述第二半导体层上形成的第一金属层，其包括Au、Ni、Ti和/或Pt中的至少一个；在所述第一金属层上形成的第二金属层，其包括Ni、Pt和/或Pd中的至少一个；以及在所述第二金属层上形成的第三金属层，其包括Au和/或含Au的两种或更多种类的化合物材料。
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