[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010192411.7 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101908561A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·J·克斯特;A·马宗达;蔡劲 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其包括绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层。源极扩展区和漏极扩展区被形成在所述半导体层中。深漏极区和深源极区被形成在所述半导体层中。漏极金属-半导体合金接触位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区。源极金属-半导体合金接触端接所述源极扩展区。所述深源极区位于所述源极合金接触的第一部分之下且与其接触。所述深源极区不位于所述源极合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘体上半导体衬底，其包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层，所述半导体层被掺杂有第一导电类型的掺杂剂；栅极，其位于所述半导体层上，所述栅极包括位于所述半导体层上的栅极电介质层和位于所述栅极电介质层上的栅极导体层；在所述半导体层中的源极扩展区和漏极扩展区，所述源极扩展区和所述漏极扩展区接触所述栅极电介质层，所述源极扩展区和所述漏极扩展区被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂；在所述半导体层中的深漏极区，所述深漏极区接触所述漏极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层；在所述半导体层中的深源极区，所述深源极区接触所述源极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层，所述深漏极区和所述深源极区被掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂；漏极金属 半导体合金接触，其位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区；以及源极金属 半导体合金接触，其端接所述源极扩展区，其中所述深源极区位于所述源极金属 半导体合金接触的第一部分之下且与其接触，所述深源极区不位于所述源极金属 半导体合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极金属 半导体合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。
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