[发明专利]采用光子晶体的金属电子标签有效
| 申请号： | 201010186733.0 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101853412A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 汪勇;刘奕昌;武岳山 | 申请（专利权）人： | 深圳市远望谷信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/067 | 分类号： | G06K19/067 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 518057 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用光子晶体的金属电子标签，要解决的技术问题是在不较大增加金属标签厚度的情况下，保证金属电子标签的读写性能，提高标签的带宽。本发明采用以下技术方案：一种采用光子晶体的金属电子标签，具有电子标签，所述电子标签粘贴在光子晶体上，所述光子晶体由相对磁导率为30-100、相对介电常数为10-20的柔性高磁导率材料作为标签衬底，其上粘贴有金属薄膜，金属薄膜上蚀刻有整齐的膜片阵元的金属阵列，阵元之间的缝隙宽度一致，电子标签粘贴在金属薄膜上。本发明与现有技术相比，天线增益会增加3dB，光子晶体结构在UHF频段具有比较宽的带宽，这样既可以保证电子标签在金属表面的正常使用，又不会使标签厚度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 光子 晶体 金属 电子标签 | ||
【主权项】：
一种采用光子晶体的金属电子标签，具有电子标签(3)，其特征在于：所述电子标签(3)粘贴在光子晶体上，所述光子晶体由相对磁导率为30-100、相对介电常数为10-20的柔性高磁导率材料作为标签衬底(1)，其上粘贴有金属薄膜(2)，金属薄膜(2)上蚀刻有整齐的膜片阵元的金属阵列，阵元之间的缝隙宽度一致，电子标签(3)粘贴在金属薄膜(2)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市远望谷信息技术股份有限公司，未经深圳市远望谷信息技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010186733.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
