[发明专利]含有苯烷基取代基的吡咯烷类离子化合物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010185179.4 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN102250041A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 刘正平;窦军彦 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C07D295/073 分类号: C07D295/073;C07D295/037;C07D295/023;C08G63/81
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘金辉;李小梅
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及吡咯烷类离子化合物A+B-,其中:A+如式(I)所示,其中R1为含有1~6个碳原子的烃基,R2具有式(II)结构,式(II)中n为1~6的整数,Y为H、C1~C6烷基或硝基;和*表示式(II)结构与式(I)氮原子的连接点,以及B-为Cl-、Br-、I-、NO3-、SO4-、PO4-、BF4-、PF6-、[(CF3SO2)2N]-、Ac-、[CH3C6H4SO3]-或[CF3SO3]-。本发明还涉及制备式A+B-吡咯烷类离子化合物的方法,包括使式(III)化合物与式(IV)化合物反应,得到B-为Cl-、Br-或I-的卤化物吡咯烷类离子化合物A+B-,具有其它阴离子的吡咯烷类离子化合物可通过将该卤化物吡咯烷类离子化合物进行离子置换而获得。本发明吡咯烷类离子化合物可作为溶剂、催化剂用于有机合成、高分子合成、高分子加工等领域。
搜索关键词: 含有 烷基 取代 吡咯烷 离子 化合物 及其 制备 方法
【主权项】:
1.吡咯烷类离子化合物,该化合物具有通式A+B-,其中所述的A+如式(I)所示:式(I)中:R1为含有1~6个碳原子的饱和或不饱和的直链或支链烃基,而R2具有如下通式(II)结构:式(II)中,n为1~6的整数,优选为1或2;Y为H、C1~C6烷基或硝基;和表示式(II)结构与式(I)中氮杂原子的连接点,以及所述的B-为选自下组的阴离子:氯离子、溴离子、碘离子、硝酸根、硫酸根、磷酸根、四氟硼酸根、六氟磷酸根、双三氟甲基磺酰亚胺根、乙酸根、对甲苯磺酸根和三氟甲磺酸根。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学,未经北京师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010185179.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top