[发明专利]低维结构热电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010182717.4 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102263198A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘宏 | 申请（专利权）人： | 苏州汉申温差电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低维结构热电材料的制备方法，其包括如下步骤：首先基于多孔氧化铝模板制备的纳米线超晶格复合结构热电薄膜，然后基于合金工艺和CVD技术制备的量子点或纳米线镶嵌结构薄膜。经检验经过上述方法制得的低维结构热电薄膜的无量纲热电品质因子大于2，用此材料制备的温差发电器件热电转换效率大于10％，是一种具有非常好前景的热电能源转换材料。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低维结构热电材料的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：首先基于多孔氧化铝模板制备的纳米线超晶格复合结构热电薄膜，具体方法是采用交叉结构的阴电极制备工艺，通过电化学沉积法，用直流或脉冲激励，分别先后在多孔氧化铝模板空洞中沉积相间排列的P型和N型热电材料，最后基于合金工艺和CVD技术制备出级联的纳米线镶嵌结构薄膜即低维结构热电材料，所述热电材料的主要成分为碲化铋、硒化铋、碲化锑、碲化铅及其他们的固溶体。
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