[发明专利]以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统有效
| 申请号： | 201010180287.2 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101885163A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | B24B53/02 | 分类号： | B24B53/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统，是在CMP处理程序期间自一CMP抛光垫的抛光表面上移除污染物以及/或是碎屑的方法与系统。在一方面，一在CMP处理程序期间自一CMP抛光垫的抛光表面上移除碎屑的方法可包含旋转一具有抛光表面的CMP抛光垫；以及将一CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面，其中该CMP抛光垫修整器包含有多个耦合于其上的多个超研磨颗粒该多个超研磨颗粒并且被定向朝向该CMP抛光垫。该方法可进一步包含以一充足力量喷洒一液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。 | ||
| 搜索关键词： | 水枪 辅助 执行 化学 机械抛光 处理 程序 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法，其是在CMP处理程序中自一CMP抛光垫的表面上移除碎屑，其特征在于该方法包含以下步骤：旋转一CMP抛光垫，其中该抛光垫具有一抛光表面；将一CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面，其中该CMP抛光垫具有耦合于CMP抛光垫上的多个超研磨颗粒，且所述多个超研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫；以及喷洒一具有充足力量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。
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