[发明专利]以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统有效

专利信息
申请号: 201010180287.2 申请日: 2010-05-13
公开(公告)号: CN101885163A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 宋健民 申请(专利权)人: 宋健民
主分类号: B24B53/02 分类号: B24B53/02
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 水枪 辅助 执行 化学 机械抛光 处理 程序 方法 及其 系统
【权利要求书】:

1.一种以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法,其是在CMP处理程序中自一CMP抛光垫的表面上移除碎屑,其特征在于该方法包含以下步骤:

旋转一CMP抛光垫,其中该抛光垫具有一抛光表面;

将一CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面,其中该CMP抛光垫具有耦合于CMP抛光垫上的多个超研磨颗粒,且所述多个超研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫;以及

喷洒一具有充足力量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的液体为水。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的液体包含研磨颗粒。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒到该CMP抛光垫上相邻该CMP抛光垫修整器的抛光表面的一区域。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒到相邻该CMP抛光垫修整器前边缘的该CMP抛光垫的抛光表面区域上

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒相邻该CMP抛光垫修整器后边缘的到该CMP抛光垫抛光表面区域上。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒通过该CMP抛光垫修整器中的一开口而接触该CMP抛光垫修整器圆周区域内的抛光表面的一区域。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于其中所述的CMP抛光垫修整器是一环形元件,且该液体喷射注是通过该环状元件的一中心开口部位而喷洒在该抛光表面上。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中喷洒液体喷射注到该抛光表面的步骤进一步包含依据一脉冲图形来喷洒该液体喷射注。

10.一种以水枪辅助执行CMP处理程序的系统,其特征在于其包含:

一CMP抛光垫,其耦合到一支撑表面上,该支撑表面可运作转动该CMP抛光垫,其中该CMP抛光垫具有一相对该支撑表面的抛光表面;

一CMP抛光垫修整器,其上耦合有多个超研磨颗粒,且所述多个超研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫,该CMP抛光垫修整器是被定向垂直于该支撑表面的状态,且可运作而将所述多个超研磨颗粒压迫进入该CMP抛光垫中;以及

一液体喷射系统,该系统定位且可运作于喷洒一具有充足力量的液体到该CMP抛光垫的抛光表面上以驱除该抛光表面上的碎屑。

11.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体到相邻该CMP抛光垫修整器的该抛光表面一区域上。

12.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体到一相邻该CMP抛光垫修整器前边缘的该抛光表面上一区域上。

13.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体到一相邻该CMP抛光垫修整器后边缘的该抛光表面上一区域上。

14.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体通过该CMP抛光垫修整器的一开口部位后到该抛光表面的一区域上。

15.根据权利要求14所述的系统,其特征在于其中所述的CMP抛光垫修整器是一环状元件,且该液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体通过该环状元件的中心开口部位后到该抛光表面的一区域上。

16.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统可运作于依据相邻于该CMP抛光垫修整器的前边缘处的线性图形而喷洒液体。

17.根据权利要求10所述的系统,其特征在于其中所述的液体喷射系统可运作于依据相邻于该CMP抛光垫修整器的后边缘处的线性图形而喷洒液体。

18.根据权利要求17所述的系统,其特征在于其中所述的线性图形是被定向于相对该CMP抛光垫的半径的角度上以使得该依据线性图形的液体可有效地朝该CMP抛光垫的一边缘的方向上驱除以及输送碎屑.

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