[发明专利]激光二极管器件无效
| 申请号： | 201010180241.0 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101814698A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 仓本大 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有简单结构的能够探测激光的激光二极管器件。该激光二极管器件包括通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构，以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中该半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种激光二极管器件，其包括：通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构；以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极中的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。
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