[发明专利]激光二极管器件

说明书

本申请是申请日为2006年9月15日、申请号为 200610171904.6、发明名称为“激光二极管器件”的专利申请的分 案申请，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种具有探测激光的光电探测器的激光二极管器 件，更具体的是，涉及一种能够适合用于光盘的激光二极管器件。

背景技术

现有技术中用于光盘的激光二极管器件包括探测来自激光二 极管器件中包括的激光二极管的激光的光电探测器。通常，光电探 测器设置在来自激光器的光输出不衰减的区域中，例如在与激光二 极管分开的激光二极管的后端表面侧上(与发光侧相对的一侧)， 并且光电探测器通过吸收通过后端表面泄漏的光以将该光转换成 电流信号来探测激光。

但是通常情况下，激光二极管的后端表面被高反射率膜覆盖， 因此通过后端表面泄漏的光的输出十分小。因此，光电探测器必须 对泄漏光具有高灵敏度。现在，对于用于光盘的激光二极管，能够 输出780nm波长的激光或650nm波长的激光的多波长激光器是主 流，其中780nm波长的激光用于重放CD(致密盘)或在例如CD-RW (可改写CD)或MD(微型盘)的可记录光盘上记录或重放该可 记录光盘，650nm波长的激光用于在DVD(数字通用盘)上记录 或重放该DVD。因此，例如根据日本尚未审查的专利申请公开物 N0.2004-55744中的描述，由硅(Si)基化合物半导体制成的光电二 极管(PD)被用作光电探测器，其中该光电二极管可对这种长波长 的光具有高灵敏度。

发明内容

近年来，已经出现了使用以GaN，AlGaN混合晶体和GaInN 混合晶体为代表的III-V族氮化物化合物半导体(以下称为氮化物 基半导体)的短波长(405nm波长)激光二极管，并且已经研制出 实际用作更高密度光盘的光源的短波长激光二极管。为了使用这种 短波长激光二极管作为用于光盘的光源，需要一种对短波光具有高 灵敏度的光电探测器。

但是，上述的光电二极管对于405nm波长的光具有低的灵敏 度，因此难以在短波长激光二极管中使用该光电二极管。但是，如 果通过减小后端表面的反射率来增加从短波长激光二极管的后端 表面泄漏的光的输出，那么激光器特性的退化例如阈值电流增加， 激光器的光输出减小，相对强度噪声退化或可靠性降低增加。而且， 代替上述的光电二极管，探测来自后端表面侧的短波长光的光电探 测器，或者探测来自发光侧上的端表面的一部分光的光电探测器可 以单独设置；但是，当这种仅仅用于短波长激光二极管的光电探测 器应用于例如包括多个激光二极管的组合的多波长激光二极管器 件时，将产生激光二极管器件具有复杂结构的问题。

鉴于上述，希望提供一种能够探测激光的具有简单结构的激光 二极管器件。

根据本发明的实施例，提供一种激光二极管器件，其包括：通 过以该顺序层叠第一导电类型层，有源层和第二导电类型层形成的 半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部部分中的条纹状电流限 制结构；和多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上， 并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中半导体层在对应 于除了至少一个以外的该多个电极的电极(第一电极)的区域中具 有感光区域，该感光区域吸收在半导体层中发射的部分光，并将该 部分光转换成电流信号。

在根据本发明的实施例的激光二极管器件中，部分的发射光被 吸收在对应于半导体层的第一电极的区域(感光区域)中，以被转 换成电流信号。该电流信号的大小与被发射的激光的输出的大小具 有特定的相关性，因此，例如，当该电流信号输入到光输出运算电 路作为光输出监控信号时，发射激光的输出的大小可以通过光输出 运算电路来计算。换句话说，根据本发明的实施例的激光二极管器 件包括激光二极管，该激光二极管包括在感光区域中的光电探测 器，因此不必与激光二极管分开地设置光电探测器。

在根据本发明的实施例的激光二极管器件中，感光区域设置在 对应于第一电极的区域中，并且吸收在半导体层中发射的部分光， 以将该部分光转换成电流信号，因此能够汲取与被发射的激光的输 出的大小具有相关性的电流信号，从而不必与该光电探测器分开地 设置例如光电二极管的光电探测器。因此，具有简单的结构的激光 二极管器件可以探测激光。

本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将通过以下描述而 更加全面地呈现。

附图说明