[发明专利]激光二极管器件

权利要求书

1.一种激光二极管器件，其包括：

通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电 类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的 条纹状电流限制结构；以及

多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上， 并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，

其中，将该多个电极中的除了至少一个电极以外的电极 称为第一电极，半导体层在对应于该第一电极的区域中具有感 光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将 该部分光转换成电流信号，

其中，将第二导电类型层的电连接到靠近第一电极的电 极的区域称为增益区域，第二导电类型层在感光区域和该增益 区域之间具有高电阻区域，该高电阻区域使感光区域与增益区 域彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的激光二极管器件，其中

该多个电极沿着电流限制结构延伸的方向排成直线。

3.根据权利要求2所述的激光二极管器件，其中

该多个电极电连接到对应于第二导电类型层的电流限制 结构的条纹状区域。

4.根据权利要求3所述的激光二极管器件，其中

第一电极的电连接到第二导电类型层的区域具有其中可 以产生可探测的电流量的区。

5.根据权利要求2所述的激光二极管器件，其中

第一电极借助至少100欧姆的电阻与靠近第一电极的电 极隔离。

6.根据权利要求2所述的激光二极管器件，其中

半导体层沿电流限制结构延伸的方向具有一对发射侧端 表面和反射侧端表面，以及

第一电极形成在该发射侧端表面侧上。

7.根据权利要求1所述的激光二极管器件，其中

高电阻区域包括杂质。

8.根据权利要求7所述的激光二极管器件，其中

所述杂质包括从包括硅(Si)、氧(O)、铝(Al)和硼(B) 的组中选择的至少一种。

9.根据权利要求1所述的激光二极管器件，其中

高电阻区域借助至少100欧姆的电阻使第一电极和靠近 该第一电极的电极彼此隔离。

10.根据权利要求1所述的激光二极管器件，其中

该多个电极沿与电流限制结构延伸的方向垂直的方向排 成直线。

11.根据权利要求10所述的激光二极管器件，其中

第一电极形成在与电流限制结构相距预定距离地设置在 电流限制结构的两侧上的至少其中一个条纹状区域中，以及

将该多个电极中的除了第一电极以外的电极称为第二电 极，该第二电极形成在包括对应于电流限制结构的条纹状区域 的区域中。

12.根据权利要求10所述的激光二极管器件，其中

将该多个电极中的除了第一电极以外的电极称为第二电 极，

所述激光二极管器件还包括将第一电极和第二电极彼此 电隔离的绝缘层，

第一电极形成在与电流限制结构相距预定距离地设置在 电流限制结构的两侧上的至少其中一个条纹状区域中，

绝缘层被形成为布置在整个第一电极上，以及

第二电极形成在对应于电流限制结构和绝缘层的条纹状 区域上。

13.根据权利要求10所述的激光二极管器件，其中

第一电极电连接到第二导电类型层的至少其中一个条纹 状区域，该条纹状区域设置在电流限制结构的两侧上，与该电 流限制结构相距预定的距离，以及

将该多个电极中的除了第一电极以外的电极称为第二电 极，该第二电极电连接到第二导电类型层的对应于电流限制结 构的条纹状区域。

14.根据权利要求13所述的激光二极管器件，其中

第一电极的电连接到第二导电类型层的区域具有其中可 以产生可探测的电流量的区。

15.根据权利要求1所述的激光二极管器件，其中

该半导体层由III-V族氮化物化合物半导体制成。