[发明专利]一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法无效
| 申请号： | 201010179872.0 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101866838A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 花国然;王强;张华;罗辰;顾江;陈宏 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 吴静安 |
| 地址： | 226019 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与加热时间的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。本发明通过调整脉冲的占空比，来控制薄膜中晶粒的生长；本发明方法不仅可应用于硅的可控外延生长，也可应用于ZnO等材料的快速可控外延生长；应用本发明方法生长的薄膜不仅可应用于太阳能行业，也可应用于集成电路和电子元器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 薄膜 可控 同质 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法，其特征在于首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与脉冲周期的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010179872.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：挖掘机
- 下一篇：糊组合物及太阳能电池元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
