[发明专利]用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料无效
| 申请号： | 201010172922.2 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101924180A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 周夕淋;吴良才;宋志棠;饶峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料，属微电子技术领域，其保持Si与Te原子比为1比3，组分通式为SiaSb(100-4a)Te3a，其中10≤a≤20，与现有的Ge2Sb2Te5相变材料相比，其具有较高的结晶温度、较强热稳定性和更好的数据保持能力；同时其晶态具有更高的电阻率，材料晶态/非晶态厚度变化率变小。使用本发明的相变材料作为信息存储介质，可以有效提高存储器的循环操作次数，降低写操作功耗，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 si sb te 化合物 材料 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的富锑Si Sb Te硫族化合物相变材料，其特征在于：材料组分的通式为SiaSb(100 4a)Te3a，其中10≤a≤20。
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