[发明专利]一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法有效
| 申请号： | 201010170458.3 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101820047A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;罗景庭;曾飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于新材料技术领域的一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜，Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为：0≤Fe≤2.6at.％，47.4at.％≤Zn≤50at.％，其余为O；对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理。当Fe含量为1.2at.％时，Fe掺杂的ZnO薄膜可以不进行热处理也能有较大的压电常数。通过合适的Fe含量掺杂或者在O2气氛下退火，可以提高ZnO薄膜材料的压电常数，得到比未掺杂的ZnO薄膜大一个数量级的压电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 zno 薄膜 材料 压电 常数 方法 | ||
【主权项】：
一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法，其特征在于：制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜，Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为：0＜Fe≤2.6at.％，47.4at.％≤Zn≤50at.％，其余为O；当Fe掺杂的ZnO薄膜中Fe含量不为1.2at.％时，对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理，经上述步骤来提高ZnO薄膜材料的压电常数。
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