[发明专利]大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法

摘要

本发明涉及大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法，该方法包括光刻硅片、配置腐蚀液、电化学腐蚀前的准备、电化学腐蚀的实施和后处理步骤，其中：在光刻硅片时是利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻；配置负极腐蚀液时，是在5～8M的KOH溶液中加入质量浓度为99.7％的分析纯异丙醇使之体积比为1∶(1.2～1.45)，或将质量浓度40％的氢氟酸、质量浓度99.5％的二甲基甲酰胺和水混合使之体积比为(2.5～3.5)∶(14～18)∶1；组成正极的腐蚀液，是将质量浓度96％的分析纯NH4F、质量浓度40％的HF和水混合，使之体积比为3∶6∶10。本发明具有工艺简单，容易实施，可获得大间距硅基三维结构等优点。

主权项

一种大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法，其特征是采用包括以下步骤的方法：(1)光刻硅片：利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻；(2)配置腐蚀液：在摩尔浓度为5～8的KOH溶液中加入浓度为99.7％的分析纯异丙醇，组成二者的体积比为1∶(1.2～1.45)的腐蚀液作为负极腐蚀液；将质量浓度96％的分析纯NH4F、质量浓度40％的HF和水混合，组成三者的体积比为3∶6∶10的氢氟酸缓冲腐蚀液作为正极腐蚀液；(3)电化学腐蚀前的准备：将腐蚀设备置于通风橱内，再将配置好的腐蚀液分别加入两侧腐蚀槽中，连接好电极；将光刻好的硅片装入所述腐蚀槽中；(4)电化学腐蚀的实施：按照工艺要求，在腐蚀液及0.01～0.08A电流的作用下对硅片进行电化学腐蚀；(5)后处理：电化学腐蚀结束后将硅片取下用去离子水冲洗干净，然后进行烘干；经过上述步骤，得到硅基三维结构的产品。