[发明专利]一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010170146.2 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN101870584A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 周迪;汪宏;姚熹;庞利霞;吴新光;郭靖;张高群 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料以结构通式A4B3O12为基础,选取相对低价态的阳离子(Li+、Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+、Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)复合占据A位,高价态的阳离子Mo6+占据B位,通过传统固相反应烧结的方法,得到了一系列可以在700oC以下烧结且具有良好微波介电性能(介电常数8.5~11.1,品质因数Qf介于36,000GHz到108,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:Li2M2+2(MoO4)3(M2+=Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+)和Li3M3+(MoO4)3(M3+=Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)。
搜索关键词: 一种 超低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料,其特征在于,该陶瓷材料结构表达式为:Li2M2+2(MoO4)3或Li3M3+(MoO4)3。
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