[发明专利]热保护相变随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010170043.6 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101958398A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在此描述一种存储单元，其包括导电性接触部和包含覆盖在导电性接触部上的可程序化电阻存储器材料的存储器元件。绝缘元件从导电性接触部延伸至到存储器元件内，绝缘元件有近端、远程和用以定义内部的内表面。近端邻近导电性接触部。底电极与导电性接触部接触并且从近端于内部中向上延伸。存储器元件是位于内部，从远程向下延伸，以在第一接触表面与底电极的上表面接触。顶端电极由存储器元件而与绝缘元件的远程分开，并且与存储器元件接触于第二接触表面，第二接触表面的表面积大于第一接触表面的表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一导电性接触部；一存储器元件，包括一可程序化电阻存储器材料，该可程序化电阻存储器材料覆盖于该导电性接触部上；一绝缘元件，从该导电性接触部延伸到该存储器元件内，该绝缘元件具有一近端、一远程和一内表面，其中该内表面用以定义一内部，该近端邻近于该导电性接触面部；以及一底电极，与该导电性接触部接触，并且在该内部中从该近端向上延伸，在该内部中的该存储器元件从该远程向下延伸，该存储器元件以在一第一接触表面与该底电极的一上表面接触。
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