[发明专利]压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010169200.1 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101876575A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 德田智久;东条博史 | 申请（专利权）人： | 株式会社山武 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王轶;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种小型且高性能的压力传感器及其制造方法。本发明的压力传感器(30)包括：传感器芯片(10)，其具备：具有开口部(1a)的第一半导体层(1)，和设置在第一半导体层(1)上且具有成为隔膜(4)的凹部(12)的第二半导体层(3)；和基座(11)，其具有与开口部(1a)连通的压力导入孔(17)并与传感器芯片(10)接合。第二半导体层(3)的凹部(12)比第一半导体层(1)的开口部(1a)大。第一半导体层(1)的开口部(1a)的第二半导体层(3)侧的开口口径比基座(11)侧的开口口径大。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，包括：传感器芯片，其具备：具有开口部的第一半导体层，和形成在所述第一半导体层上并具有成为隔膜的凹部的第二半导体层；和基座，其具有与所述开口部连通的压力导入孔，并与所述传感器芯片接合，所述第二半导体层的凹部比所述第一半导体层的开口部大，所述第一半导体层的开口部的所述第二半导体层侧的开口口径比所述基座侧的开口口径大。
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