[发明专利]一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法有效
申请号: | 201010168604.9 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101834230A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 沈辉;陈奕峰;许欣翔;梁学勤 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法,该方法是在制备太阳电池后,在太阳电池前表面利用掩模对主栅线金属电极进行覆盖,在未被掩模覆盖的区域进行二次镀膜,制备保护细栅线金属电极的介质层,形成介质层-细栅线金属电极-钝化层结构。本发明方法可保护细栅线金属电极不易氧化,主栅线金属电极进行正常焊条连接;通过优化钝化层,可以增强前表面的钝化效果;通过调控介质层,可降低太阳电池前表面的反射率和实现颜色调控;通过改变掩模图案,可在电池前表面显示汉字、数字及图形等,且二次镀膜方法便与现有晶体硅太阳电池制备工艺对接,易于产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 制备 保护 太阳电池 细栅线 金属电极 彩色 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法,其特征在于,在制备太阳电池后,在太阳电池前表面利用掩模对主栅线金属电极进行覆盖,在未被掩模覆盖的区域进行二次镀膜,制备保护细栅线金属电极的介质层,形成介质层一细栅线金属电极一钝化层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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