[发明专利]包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010167501.0 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102237491A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;田晓鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy存储介质层相对比MnOz存储介质层更加致密，其低阻态的电阻相对较高，使该电阻型存储器具有相对低功耗的特点；MnSixOy存储介质层更容易与45纳米工艺节点以下的铜互连工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 氧化锰 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锰基电阻型存储器，包括上电极、下电极，其特征在于，还包括设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。
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