[发明专利]用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块、沉积成膜方法无效
申请号: | 201010161505.8 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102234771A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 马万里;赵文魁 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块、沉积成膜方法,属于沉积成膜领域,可解决压块与基底粘连的问题。本发明的压块包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分,压制部分包括用于压制所述基底的压制面,以及位于所述压制面所在平面上方的压制部分外缘部,所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于压制面外缘的外侧,且所述压制部分外缘部的最低处与所述压制面所在平面间的距离大于成膜厚度。本发明的沉积成膜方法包括用上述压块固定基底后再沉积成膜。本发明的压块和沉积成膜方法可用于在半导体晶片上溅射沉积金属膜。 | ||
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【主权项】:
一种用于在沉积成膜操作中固定成膜基底的压块,包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分,所述压制部分包括:压制面,用于压制所述基底,并具有压制面外缘;压制部分外缘部,位于所述压制面所在平面的上方;其特征在于,所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧;所述压制部分外缘部最低处与所述压制面所在平面间的距离为h,所述沉积成膜操作的成膜厚度为d,所述压块满足:h>d。
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