[发明专利]一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法有效
| 申请号： | 201010157559.7 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102236063A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;习林茂;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。利用本发明，实现了对SOI器件热载流子寿命的准确预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预测 绝缘体 器件 载流子 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。
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