[发明专利]一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法

权利要求书

1.一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；

步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；

步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；

步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。

2.根据权利要求1所述的预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，步骤2中所述利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度，是利用提取的热阻在两个以上环境温度下计算绝缘体上硅器件的实际温度。

3.根据权利要求1所述的预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，步骤3中所述对绝缘体上硅器件做加速应力实验，是在同一应力条件下选取了3个相同尺寸的器件，并且做两个以上温度的加速应力实验。

4.根据权利要求1所述的预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，步骤4中所述预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命，采用的是衬底/漏极电流比率模型，首先采用衬底/漏极电流比率模型预测不同温度下的器件寿命，然后根据不同温度下的器件寿命预测室温下绝缘体上硅器件的热载流子寿命。

5.根据权利要求4所述的预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，其特征在于，所述根据不同温度下的器件寿命预测室温下绝缘体上硅器件的热载流子寿命，是已知热载流子寿命与温度的函数关系形式，根据其它温度下的寿命拟合出函数中的参数，然后预测室温下绝缘体上硅器件的热载流子寿命。