[发明专利]一种背面钝化的太阳能电池的生产方法有效
申请号: | 201010152175.6 | 申请日: | 2010-04-20 |
公开(公告)号: | CN101958364A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 邓伟伟;刘亚锋 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种背面钝化的太阳能电池的生产方法。它具有如下步骤:清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散,去正面二氧化硅保留背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、印刷正负电极以及烧结和电性能测试;或者清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散,去背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、背面沉积氮化硅,腐蚀出背电极以及烧结和电性能测试。该工艺简单,成本较低,可控性和稳定性好,背面钝化之后,大大降低了背面的复合速率,背面的发射率高,提高了电压电流及电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 钝化 太阳能电池 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种背面钝化的太阳能电池的生产方法,其特征是具有如下步骤:a.将硅片清洗制绒;b.在硅片上生长一层二氧化硅薄膜;c.在硅片正面腐蚀出正电极的形状后,在硅片正面进行选择性扩散形成选择性发射结;d.腐蚀掉硅片正面的二氧化硅薄膜,再用氢氟酸清洗;e.对硅片进行去边,再用氢氟酸去掉硅片正面的磷硅玻璃,保留硅片背面的二氧化硅作为钝化层;f.在硅片背面腐蚀出背面电极的形状,再用氢氟酸清洗;g.然后在硅片正面电极和背面电极印刷浆料,最后进行烧结和电性能测试。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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