[发明专利]薄膜太阳能电池结构、薄膜太阳能电池阵列及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010150100.4 申请日: 2010-04-14
公开(公告)号: CN102122679A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 申请(专利权)人: 朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/042;H01L21/77;H01L27/142
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张磊
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提出一种薄膜太阳能电池结构和制作方法以及薄膜太阳能电池阵列。该薄膜太阳能电池结构的制造方法包括:从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽,以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间;至少在所述第一沟槽的侧壁形成第一结构;至少在所述第二沟槽的侧壁形成第二结构;从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜太阳能电池结构。通过本发明能够有效缩短电极之间的距离,减小电子与空位的复合几率,减小体复合电流及表面复合电流,以达到提高发电效率的目的。本发明所提出的薄膜太阳能电池结构和制作方法还可节省半导体用料和降低制造成本。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 结构 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池结构的制造方法,所述方法包括:A、提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一掺杂类型,所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面;B、从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽,以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间;C、至少在所述第一沟槽的侧壁形成第一结构;D、至少在所述第二沟槽的侧壁形成第二结构;E、从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜太阳能电池结构,其中,所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜太阳能电池结构的半导体基板,所述第一结构、第二结构或其组合为所述薄膜太阳能电池结构的进光面。
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