[发明专利]薄膜太阳能电池结构、薄膜太阳能电池阵列及其制造方法有效
申请号: | 201010150100.4 | 申请日: | 2010-04-14 |
公开(公告)号: | CN102122679A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请(专利权)人: | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L21/77;H01L27/142 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提出一种薄膜太阳能电池结构和制作方法以及薄膜太阳能电池阵列。该薄膜太阳能电池结构的制造方法包括:从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽,以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间;至少在所述第一沟槽的侧壁形成第一结构;至少在所述第二沟槽的侧壁形成第二结构;从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜太阳能电池结构。通过本发明能够有效缩短电极之间的距离,减小电子与空位的复合几率,减小体复合电流及表面复合电流,以达到提高发电效率的目的。本发明所提出的薄膜太阳能电池结构和制作方法还可节省半导体用料和降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 结构 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池结构的制造方法,所述方法包括:A、提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一掺杂类型,所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面;B、从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽,以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间;C、至少在所述第一沟槽的侧壁形成第一结构;D、至少在所述第二沟槽的侧壁形成第二结构;E、从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜太阳能电池结构,其中,所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜太阳能电池结构的半导体基板,所述第一结构、第二结构或其组合为所述薄膜太阳能电池结构的进光面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的